Samsung lanceert supersnelle 4GB DRAM
Het Zuid-Koreaanse bedrijf Samsung Electronics is begonnen met de massaproductie van de eerste 4GB DRAM’s met tweede generatie High Bandwidth Memory (HBM2)-interface. De nieuwe chips kunnen ingezet worden voor supercomputers, geavanceerde graphics, netwerksystemen en servers. Met deze technologie richt het bedrijf zijn pijlen resoluut op de snel evoluerende markt van supercomputers.
“Door de massaproductie van HBM2 DRAM kunnen we een grotere bijdrage leveren aan de snelle adoptie van nieuwe generatie supercomputersystemen door IT-bedrijven,” zegt Sewon Chun van Samsung Electronics. “Door gebruik te maken van onze 3D-geheugentechnologie kunnen we bovendien proactief omgaan met de verschillende noden van globale IT. Tegelijkertijd verstevigen we onze basis voor toekomstige groei van de DRAM-markt.”
Specificaties
De nieuwe 4GB HBM2 DRAM maakt gebruik van Samsung zijn efficiënte procestechnologie van 20 nanometer en geavanceerde HBM-chipdesign. De chip is opgebouwd uit een buffer die en vier core dies van 8 Gb. De verschillende dies zijn verticaal met elkaar verbonden door elektrische connecties (TSV’s). Eén 8 Gb HBM2 die bevat maar liefst 5.000 connecties, waardoor datatransmissies een pak sneller kunnen gebeuren.
Samsung zijn nieuwe DRAM haalt een bandbreedte van 256 GBps, wat dubbel zoveel is als de vorige generatie van HBM DRAM’s. Deze bandbreedte is bovendien meer dan 7 keer zo groot als bij 4GB GDDR5 DRAM-chips, welke momenteel de hoogste datasnelheid per pin heeft.
Op donderdag 17 maart organiseren Smart Business en ZDNet een gratis seminar over datacenteroptimalisatie. Voor meer informatie en mogelijkheid tot inschrijven, kan u terecht op www.businessmeetsit.be.
